三星正式量产基于EUV技术的14nm DRAM
在去年3月份三星推出了首款EUV DRAM，而就在近日三星电子宣布，它们已开始量产业界最小14纳米DRAM，基于极紫外EUV技术打造，如今三星已经将EUV层数堆叠至5层。
根据最新DDR5标准，三星的14nm DRAM速度高达7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快两倍多。三星指出，随着DRAM工艺不断缩小至10nm范围，EUV技术能够提升图案准确性，从而获得更高性能和更大产量，因此该项技术变得越来越重要。据介绍，通过在14nmDRAM中应用5个EUV层，三星实现了自身最高的单位容量，同时，整体晶圆生产率提升了约20%，与前代DRAM工艺相比，14nm工艺可帮助降低近20%的功耗。“通过开拓关键的图案（key patterning）技术，三星活跃全球DRAM市场近三十年。”三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管Jooyoung Lee表示，“如今，三星正通过多层EUV技术，树立了一座新的技术里程碑，实现了更加微型化的14纳米工艺，而这也是传统氟化氩（ArF）工艺无法做到的。在此基础上，三星将继续提供极具差异化的内存解决方案，充分满足5G、人工智能和元宇宙等数据驱动的时代对更高性能和更大容量的需求。”随着DRAM工艺不断缩小至10纳米范围，EUV技术变得越来越重要，因为它能提升图案准确性，从而获得更高性能和更大产量。通过在14纳米DRAM中应用5个EUV层，三星实现了自身最高的单位容量，同时，整体晶圆生产率提升了约20%。此外，与上一代DRAM工艺相比，14纳米工艺可帮助降低近20%的功耗。
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